아시아태평양 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장, EV 및 재생에너지 확산에 힘입어 2034년 96억 2천만 달러 규모 전망

 

According to a new report from Intel Market Research, the Asia-Pacific GaN and SiC Power Semiconductor market was valued at USD 2.18 billion in 2024 and is projected to grow from USD 2.72 billion in 2025 to USD 9.62 billion by 2034, registering a strong CAGR of 24.3% during the forecast period (2025–2034). Market growth is being fueled by rapid EV adoption across China and India, large-scale renewable energy investments, expansion of 5G and hyperscale data center infrastructure, and government initiatives focused on carbon neutrality and energy efficiency.

GaN(질화갈륨) 및 SiC(탄화규소) 전력 반도체는 기존 실리콘 기반 반도체 대비 우수한 전력 효율성, 고온 내구성, 고전압 성능을 제공하는 차세대 와이드 밴드갭 반도체입니다. GaN은 고속 충전기와 RF 시스템 등 고주파 응용 분야에서 강점을 보이며, SiC는 전기차, 산업용 드라이브, 재생에너지 시스템과 같은 고출력 분야에서 핵심 기술로 자리잡고 있습니다.

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주요 시장 성장 동인

1. EV 확산 및 에너지 효율 정책 강화

중국, 일본, 한국, 인도를 중심으로 전기차(EV) 및 하이브리드 차량(HEV) 보급이 빠르게 확대되면서 고효율 전력 반도체 수요가 급증하고 있습니다. 또한 각국 정부의 탄소중립 정책이 시장 성장을 적극 지원하고 있습니다.

2. 5G 및 데이터센터 인프라 확대

아시아태평양 지역에서는 5G 네트워크와 하이퍼스케일 데이터센터 구축이 가속화되고 있으며, 고주파 및 저손실 특성을 가진 GaN 반도체 수요가 크게 증가하고 있습니다.

3. 재생에너지 통합 확대

태양광 및 풍력 발전 확대에 따라 고효율 전력 변환 시스템 수요가 증가하고 있습니다. SiC 기반 인버터와 컨버터는 에너지 손실을 줄이고 재생에너지 효율 향상에 중요한 역할을 하고 있습니다.

시장 과제

  • 높은 소재 및 제조 비용
  • 특정 국가 및 공급업체에 집중된 공급망 구조
  • 고전압·고온 환경에서의 신뢰성 검증 문제
  • 기존 실리콘 IGBT 및 MOSFET 기술과의 경쟁

주요 시장 기회

  • 고속 충전기 시장에서 GaN 채택 확대
  • EV 충전 인프라 및 산업용 모터 제어 시장 성장
  • 재생에너지 및 에너지 저장 시스템에서 SiC 수요 확대
  • 반도체 기업과 OEM 간 전략적 협력 강화

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지역별 시장 인사이트

중국

강력한 정부 정책 지원과 EV·재생에너지 시장 성장에 힘입어 시장을 주도하고 있습니다.

일본

SiC 소재 및 자동차·산업 분야에서 높은 기술 경쟁력을 바탕으로 핵심 역할을 수행하고 있습니다.

한국

대형 전자 및 자동차 기업들의 와이드 밴드갭 반도체 도입 확대와 탄소중립 정책이 시장 성장을 견인하고 있습니다.

인도

반도체 생산 장려 정책과 EV 시장 확대를 기반으로 빠르게 성장하는 유망 시장으로 부상하고 있습니다.

시장 세분화

유형별

  • GaN Power Devices
  • SiC Power Devices

응용 분야별

  • Automotive & EV Mobility
  • EV Charging Infrastructure
  • Consumer Electronics
  • Industrial Motor & Drive
  • PV, Energy Storage & Wind Power
  • 5G & Telecom Infrastructure

전압 범위별

  • Low Voltage (<600V)
  • Medium Voltage (600V–1700V)
  • High Voltage (>1700V)

부품별

  • Power Modules
  • Discrete Devices
  • Power ICs

주요 기업

  • Rohm Co., Ltd. (Japan)
  • Mitsubishi Electric Corporation (Japan)
  • Fuji Electric Co., Ltd. (Japan)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japan)
  • Innoscience Technology Co., Ltd. (China)
  • BYD Semiconductor Co., Ltd. (China)
  • SK Siltron CSS (South Korea)
  • Renesas Electronics Corporation – Transphorm (Japan/USA)
  • EPISIL Technologies Inc. (Taiwan)

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